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BALLUFF磁编码器M08EH-PSC20B-S04G

BALLUFF磁编码器M08EH-PSC20B-S04G

  • 所属分类:德国BALLUFF巴鲁夫
  • 浏览次数:
  • 发布日期:2025-05-16
  • 产品概述
  • 性能特点
  • 技术参数

BALLUFF磁编码器M08EH-PSC20B-S04G

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在24 V直流时的大耗电量60 mA

工作电压Ub 18~30 VDC

接通峰值电流≤ 3 A/0.5 ms

接通延迟,大300 ms

耐电压至 (GND – 外壳) 500 V DC

过压保护Ub up to 36 V DC

错误值0x7FFFFFFC

电气连接

反极性保护Ub高30 V DC

短路保护针对接地和 30 V 直流电压的信号

输出

范围 / 距离

分辨率,位置5 ?m

大测量频率nnnn = 25…1270: 1000 Hz

 nnnn = 1271…2650: 500 Hz

 nnnn = 2651…4000: 250 Hz

测量长度25~4000 mm

线性偏差± 50 ?m

重复精度≤ ± 10 ?m

零点d = A: 30 mm

 d = E: 50.8 mm

通用性参数

位置指示器,大数量2;位置指示器之间的小间距65 mm。

BTL7-E500-M0300-B-S115

BTL7-E501-M0150-P-S32

BTL7-E509-M0050-P-S32

BTL7-E570-M0100-K-K02

BTL7-E570-M0200-K-K02

BTL7-P511-M3480-P-S32

BTL7-S571B-0150-P-KA05

BTL7-S571B-M0150-P-KA05

BTL7-V50T-M0150-P-C003

BTL-P-1013-4S

BWL 5454D-L011-S49

IE5422

传感器  BES 516-370-S4-C

传感器 BES 516-356-S4-C

 型号BMF00NM

位移传感器 BTL7-S502B-M1300-P-S32

ZEVS-20

LTE500-500G3/4H92A

P56N-012SG18HR

35617

BRT-2*2/BRT46

BRT-2X2

BRT-51×51BM

BRT92x92C

D10BFP

D12SP6FPYQ


本文网址: /product/49532.html

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